第一一一六章 不同意（1 / 2）
GCA当时投入研发EUV技术项目的3000万美元经费，可以收购ASML40%的股权，不是一笔小数目！
GCA当时账上的现金流只剩下300多万美元，公司要花钱的地方多的是。
孙健前世在互联网上看过不少有关ASMLEUV光刻机的文章，作者纷纷感叹研发和生产EUV光刻机之难难于上青天，被称为外星人的科技水准，是迄今为止人类科技领域所能达到的最尖端技术，没有之一。
为了打破封锁，投入巨资，举国之力也没有看见成果。
前世90年代末，干式193n波长光刻机遇到了65n制程工艺的极限，再往下就寸步难行，如何跨入40n制程工艺？成为阻挡所有光刻机等半导体厂商的世界性难题，科学家和产业界提出了各种超越193n波长的方案，其中包括157nF2激光，电子束投射(EPL)，离子投射(IPL)、EUV(13.5n)和X光等。
相对而言，157nF2激光的技术难度稍低，不少公司开始下注157nF2激光，其中尼康和SVG在这个技术路线走的最远，是最接近商业化量产的两家公司。
几年后，ASML收购了SVG，也拥有了157nF2激光技术，又砸下数亿美元进行研发，此外ASML也还尝试开发EUV光刻机。
财大气粗的英特尔一开始就倾向于激进的EUV(13.5n)方案，希望彻底解决光刻机的波长世界性难题，集中全球顶尖科技精英一起愚公移山，他们说服对高科技开明的克林顿内阁，发起成立了EUVLLC（EUV有限责任公司）。
EUVLLC由英特尔和美国能源部牵头，集中了当时如日中天的摩托罗拉、IBM和AMD，以及享有盛誉的美国三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚国家实验室，集中数百位世界顶尖科学家，投资2亿美元研发经费，从理论上验证EUV可能存在的技术问题。
英特尔当时打算邀请光刻机行业第一、第二位的Nikon和ASML加入EUVLLC，但美国政府担心最前沿的光刻机技术落入外国公司手中，反对Nikon和ASML加入。
ASML为了表现诚意，同意在美国建立一所工厂和一个研发中心，以此满足所有美国本土的产能需求，另外，还保证55%的零部件均从美国供应商处采购，并接受定期审查，做出多项让步后，最后成功加入EUVLLC，能够享受其基础研究成果，Nikon却没有机会加入，失去了同ASML竞争的机会。
几年之后，终于论证了EUV的可行性，于是EUVLLC的使命完成，公司解散，各个成员踏上独自研发之路。
ASML加入EUVLLC后，享受到的研究成果大大加快了其EUV的研发进度，2005年摩尔定律陷入停滞，极紫外光刻技术被认为是制程突破10n制程工艺的关键，但由于EUV光刻机几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限，光源功率要求极高，透镜和反射镜系统也极致精密，还需要真空环境，配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也不高，别说是对日本与荷兰，就算是科技全球第一的美国，举国之力独自突破这项世界最尖端的技术，也是痴人说梦。
由于技术难度极高，需要巨额的研发资金，尼康和佳能只得选择放弃，彻底沦为中低端光刻机厂商。
ASML成为唯一的候选人！
ASML以23%的股权得到英特尔、三星和台积电的53亿欧元的研发EUV光刻机的资金，而这三家客户也因此获得优先供货权。
ASML也成为美国大财团控股的荷兰高科技公司！
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